3d nand 文章 最新資訊
SoC 集成度如何影響 SMT 貼片良率
- 本文詳解 SoC 系統(tǒng)級芯片集成度對 SMT 貼片良率的影響，涵蓋細間距 BGA 工藝難題、封裝翹曲、回流焊溫度曲線優(yōu)化以及檢測管控策略。系統(tǒng)級芯片 SoC 存在明顯的矛盾特性：它能簡化整機電路原理圖，卻大幅增加貼片組裝難度。將 CPU、GPU、內(nèi)存等完整計算架構(gòu)集成到單顆裸片內(nèi)部，雖然減少了整機元器件數(shù)量，但也讓焊點互聯(lián)工藝難度大幅提升。從常規(guī) 0.8mm 間距器件升級到 0.35mm 細間距 SoC，制造工藝窗口被極度壓縮。在超高密貼片場景中，一次貼片良率（FPY） 不只是一項指標，更是直接決定生產(chǎn)盈
- 關(guān)鍵字： SoC 系統(tǒng)級芯片 SMT 貼片良率 BGA 細間距 封裝翹曲 回流焊曲線 IPC-7525 鋼網(wǎng)開孔面積比 枕形虛焊 HiP 潤濕不良開路 NWO 焊點空洞 3D X-Ray 檢測 氮氣回流 盤中過孔封孔 POFV
1864億！SK海力士達營業(yè)利潤率高達72%，碾壓臺積電
- 2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財年第一季度財務(wù)報告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營收52.58萬億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬億韓元增長60%，同比增長198%；營業(yè)利潤 37.61 萬億韓元（1737.6 億元人民幣），同比增長 405.5%；凈利潤 40.34 萬億韓元（1863.7 億元人民幣），同比增長 397.6%。從季度業(yè)績來看，銷售額首次突破50萬億韓元大關(guān)，營業(yè)利潤為37.6萬億韓元，營業(yè)利潤率達
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傳聯(lián)電代工2D NAND有「三大關(guān)卡」 缺人、缺技術(shù)、缺設(shè)備
- 國際存儲器原廠退出2D NAND閃存將成定局，受到供貨稀缺已推升低容量2D NAND價格快速飆升，近期市場傳出，聯(lián)電可能接獲SLC、MLC Flash的代工訂單，或?qū)⒋蚱莆磥?D NAND寡占供貨的局面。不過相關(guān)業(yè)者向DIGITIMES透露，過去數(shù)個月來，確實曾與聯(lián)電討論閃存的代工機會，但人力、制程整合與開發(fā)能力以及設(shè)備等三大關(guān)鍵因素欠缺，成為最重要的卡關(guān)限制。據(jù)供應(yīng)鏈人士指出，NAND Flash價格從2026年以來漲勢兇猛，漲幅甚至已超過DRAM，但相比于MLC NAND或SLC NAND的供貨缺口更
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NAND報價狂漲：LTA將成為存儲器行業(yè)主流模式
- 本輪半導體行業(yè)復蘇的核心引擎，當屬NAND閃存的價格暴漲。據(jù)摩根士丹利證券預測，MLC（及成熟制程TLC）產(chǎn)品價格從今年首季到第四季漲幅將超過200%，下半年供需失衡幅度或達40%，缺口持續(xù)擴大助推價格飆升。DRAM漲幅逐步收斂，反觀NAND價格動能轉(zhuǎn)強，甚至超越DRAM：預估一般型DRAM在第二季度合約價格將上漲約58%-63%，NAND閃存則上漲約70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND產(chǎn)能幾近消失，終端客戶庫存普遍僅剩六至九個月，供需結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)趨緊繃。大摩科技產(chǎn)業(yè)分析師在最新釋出的報告中指
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多材料3D打印機“現(xiàn)場”制造整臺電動機
- 增材制造（3D 打?。┑捏@人進步已耳熟能詳，它可以使用一長串材料制造大大小小的物件。其中一些物件可按需復刻現(xiàn)有零件，另一些則是采用鍛造、機加工、注塑、鑄造、擠壓、化學蝕刻等任何標準制造工藝都無法生產(chǎn)的結(jié)構(gòu)。麻省理工學院（MIT）的一組研究人員現(xiàn)已開發(fā)出一個多材料 3D 打印平臺，可一步到位完整打印出電氣設(shè)備（圖 1）。圖 1 本研究開發(fā)的多模式、多材料擠出系統(tǒng)集成工具：(a) E3D Hemera 絲材擠出機；(b) 帶定制 3D 打印部件、兼容 E3D ToolChanger 的 Mahor v4 顆粒
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“黃金氣體”短缺成為半導體供應(yīng)鏈新危機
- 中東沖突的蔓延正通過氦氣短缺影響半導體供應(yīng)鏈。伊朗對全球主要氦氣生產(chǎn)國卡塔爾的設(shè)施發(fā)動襲擊，導致現(xiàn)貨價格翻番，并加劇了合同壓力。氦氣在晶圓刻蝕中不可替代，這對芯片生產(chǎn)構(gòu)成重大風險，尤其對三星電子和SK海力士等韓國企業(yè)造成嚴重影響 —— 市值蒸發(fā)超過2000億美元。最新報告顯示，伊朗對卡塔爾能源設(shè)施的襲擊嚴重影響了氦氣（被譽為“黃金氣體”）的供應(yīng)。這種看似“小眾”的工業(yè)氣體正逐漸成為全球芯片產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵風險因素。據(jù)報道，卡塔爾占全球氦氣供應(yīng)量的30%以上，其核心生產(chǎn)設(shè)施受損導致全球供應(yīng)驟減。短短兩周內(nèi)，氦氣現(xiàn)
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三星面臨大罷工，存儲價格或加速上漲
- 最新消息，由超過6.6萬名韓國三星電子工會成員參與表決的投票結(jié)果顯示，93.1%的工會成員贊成罷工。若無重大變化，三星電子工會成員將于5月21日至6月7日全面罷工。據(jù)悉，本次罷工將是三星史上最大規(guī)模的罷工計劃。關(guān)鍵訴求：取消績效獎金上限三星勞資雙方此前就2026年薪資問題進行了多輪談判，但雙方就部分議題的分歧持續(xù)擴大，談判最終破裂。如果此次罷工得以實施，這將是三星自1969年成立以來遭遇的第二次大罷工，距離上一次2024年7月的25天總罷工僅不到兩年。三星工會要求提高績效獎金計算標準的透明度，取消績效獎金
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Q1 DRAM再漲180%，NAND漲150%
- 據(jù)韓媒Chosun Biz、韓聯(lián)社等援引市調(diào)機構(gòu)Counterpoint Research數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度，64GB服務(wù)器級DRAM模塊（RDIMM）DDR5價格較2025年第四季度上漲150%，移動終端用12GB LPDDR5X上漲130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，價格也暴漲180%。不僅是DRAM價格出現(xiàn)130%~180%的大幅上漲，NAND產(chǎn)品線也上漲約130%~150%，漲幅遠超此前預期的季度增長100%。業(yè)界預測，存儲供應(yīng)短缺狀況預計將持續(xù)至2027年下半年。A
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英偉達罕見入局內(nèi)存研發(fā)：聯(lián)手三星共同推進鐵電NAND商業(yè)化
- 3 月 13 日消息，得益于 AI 需求，包括 HBM 和 NAND 閃存在內(nèi)的各種存儲芯片已經(jīng)普遍處于供不應(yīng)求的局面。在此背景下，英偉達正加強與戰(zhàn)略伙伴的前瞻性技術(shù)合作，而不僅僅停留在簡單的供應(yīng)關(guān)系上。據(jù)《首爾經(jīng)濟日報》昨日報道，英偉達現(xiàn)已加入了三星電子的研發(fā)行列，共同開發(fā)新的 AI 技術(shù)并合作研發(fā)鐵電 NAND 閃存。英偉達直接參與內(nèi)存研發(fā)，尤其是尚未商業(yè)化的鐵電 NAND 這類未來技術(shù)，實屬罕見之舉。鐵電 NAND 正被視作一項有望同時破解大型科技公司當前面臨的兩大難題的突破性技術(shù)：內(nèi)存芯片短缺與
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應(yīng)用材料與美光、SK海力士合作
- 隨著人工智能熱潮推動存儲需求增長，半導體設(shè)備制造商在收獲紅利的同時，也在加深與頭部存儲廠商的合作。據(jù)路透社報道，應(yīng)用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達成合作，共同開發(fā)對人工智能與高性能計算至關(guān)重要的下一代芯片。3 月 10 日，應(yīng)用材料發(fā)布新聞稿稱，已與 SK 海力士簽署長期合作協(xié)議，加速 DRAM 與 HBM 技術(shù)研發(fā)。雙方將在應(yīng)用材料新建的研發(fā)中心 ——設(shè)備與工藝創(chuàng)新與商業(yè)化中心（EPIC Center），聚焦存儲材料、工藝整合及 3D 先進封裝技術(shù)
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多裸片芯片設(shè)計中凸點與硅通孔的高效規(guī)劃方案
- 近年來半導體行業(yè)發(fā)展迅猛，尤其是高性能計算、人工智能和先進汽車系統(tǒng)的需求持續(xù)攀升，傳統(tǒng)單裸片芯片設(shè)計已難以滿足當下的功耗、性能、面積（PPA）指標要求。為此，工程師們開始采用多裸片架構(gòu)，將多個小尺寸裸片集成在單個封裝中。該架構(gòu)雖提升了芯片的可擴展性與性能，卻也帶來了新的挑戰(zhàn)，其中互連規(guī)劃問題尤為突出。而實現(xiàn)不同裸片間的通信，凸點與硅通孔（TSV）的高效規(guī)劃，是多裸片集成過程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。（圖 1：基于電子表格的凸點規(guī)劃示意圖）在多裸片設(shè)計中，芯片間的互連通過布置在裸片表面的微凸點或混合鍵合焊盤實現(xiàn)，這
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內(nèi)存價格邁入小時級波動，中小廠商爭搶剩余貨源艱難求生
- 人工智能引發(fā)內(nèi)存供應(yīng)危機，DRAM 市場被迫啟用 “小時級定價” 模式 —— 數(shù)萬家中小企業(yè)為生存展開激烈爭奪逾 19 萬家中小型電子企業(yè)正被人工智能浪潮擠出內(nèi)存市場。據(jù)《電子時報》今日發(fā)布的報道，受人工智能需求激增引發(fā)的內(nèi)存短缺問題持續(xù)加劇影響，內(nèi)存價格開始以小時為單位波動。半導體行業(yè)內(nèi)部人士提醒，若中小廠商無法預付貨款并立即下單，短短數(shù)分鐘內(nèi)報價就可能大幅上漲。報道指出，當前內(nèi)存市場已明顯分化：約 100 家頭部采購商憑借議價能力牢牢掌握貨源，而超過 19 萬家中小企業(yè)只能爭搶剩余的少量庫存。人工智能
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NAND閃存供應(yīng)緊張 群聯(lián)電子要求客戶縮短賬期并預付貨款
- NAND 閃存供應(yīng)商的經(jīng)營壓力，終于傳導至群聯(lián)電子。就在幾周前，群聯(lián)電子首席執(zhí)行官還透露，已有至少一家 NAND 閃存晶圓代工廠要求客戶預付貨款。如今，這家企業(yè)自身也難逃供應(yīng)緊張帶來的壓力。據(jù)《電子時報》亞洲版報道，群聯(lián)電子已開始要求旗下客戶采用預付貨款或縮短付款周期的結(jié)算方式。群聯(lián)電子在致客戶的信函中表示，“核心供應(yīng)商近期已調(diào)整付款要求，改為預付貨款或縮短付款周期”，而公司 “在過去一段時間里，一直為客戶的訂單提供資金支持”。這意味著，群聯(lián)電子此前已向部分 NAND 閃存供應(yīng)商支付了預付款，如今不得不將
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三星終結(jié)2D NAND 時代 戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向錨定 AI 時代高利潤賽道
- 當三星在HBM4時代彎道超車，重新獲得英偉達的青睞并可能承接最大份額訂單，低利潤的2D NAND就成為產(chǎn)能重構(gòu)下的棄子。 2026 年 2 月末，三星電子宣布將關(guān)停其韓國華城工廠 12 號線的 2D NAND 閃存生產(chǎn) —— 這是三星最后一條 2D NAND 產(chǎn)線，此舉標志著自 2002 年開啟的平面閃存量產(chǎn)時代正式落幕。這座月產(chǎn)能達 8 萬至 10 萬片 12 英寸晶圓的產(chǎn)線，將于 2026 年 3 月正式停工并改造為 1C DRAM 后道封測廠，聚焦 DRAM 布線等核心后道工序。這場產(chǎn)能調(diào)
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存儲芯片價格持續(xù)攀升，DRAM和NAND再創(chuàng)新高
- 據(jù)市場研究公司DRAMeXchange于2月27日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存芯片的價格繼續(xù)同步上漲，其中DRAM價格再次創(chuàng)下歷史新高，達到13美元，而NAND閃存價格漲幅超過33%。自去年4月以來，通用DRAM價格已連續(xù)11個月上漲。數(shù)據(jù)顯示，2月份通用PC DRAM產(chǎn)品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易價格為13.00美元，較上月的11.50美元上漲了13.04%。這一價格創(chuàng)下自2016年6月開始該項調(diào)查以來的最高紀錄。TrendForce分析指出，PC DRAM價格較上一季度上漲
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